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现代海力士DDR3内存亦迈入40nm时代

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来源: 作者: 2019-03-07 21:35:11

继三星之后,海力士也宣布完成了40nm工艺1Gb DDR3 DRAM内存芯片的研发。海力士称,该芯片符合Intel DDR3技术规范,相关内存模组也即将送交Intel进行认证。此前三星的40nm DDR3内存已经通过了Intel GM45平台的认证。

海力士称,新的1Gb DDR3最高速度可达2133MHz,运行电压范围很广,预计今年第三季度投入批量生产,效率可比50nm产品线提高50%以上,而且通过采用三维晶体管架构技术,漏电问题被降到了最低,整体功耗也进一步减少。海力士还将在今后把40nm工艺引入大容量内存模组、移动型DRAM、图形DRAM(显存)等产品。

现代海力士DDR3内存亦迈入40nm时代

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